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本发明公开了一种半导体pn结构,包括:第一基材层;第二基材层,包括Mg元素掺杂的p型GaN基材料,生长在第一基材层上;石墨烯层,设置在第二基材层上;第三基材层,包括n型GaN基材料,生长在石墨烯层上,第二基材层与第三基材层形成pn结;其中,石墨烯层适用于阻挡第二基材层的Mg元素向第三基材层扩散。本发明还提供一种上述的半导体pn结构的制备方法。由于石墨烯具有很好的导电性,在pn结界面的中间形成石墨烯层可起到电流扩展作用,可以提高半导体pn结构的正向导通和反向截止特性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114899220 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210555452.0 H01L 33/14 (2010.01)
(22)申请日 2022.05.
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