一种尖晶石类硫化物薄膜材料及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种尖晶石类硫化物薄膜材料及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种尖晶石类硫化物单晶外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将CoS粉末、Ni3S2粉末、S粉作为靶材原料进行研磨，压片以及真空封管高温煅烧；(2)使用丙酮、酒精、去离子水各清洗YSZ基片5min；(3)将烧制好的靶材和清洗好的YSZ基片一同放入脉冲激光沉积系统(4)通过调控生长温度，激光能量密度生长出单晶NiCO2S4薄膜。本发明所用到的工艺，首次制备了NiCO2S4单晶薄膜，为探索该材料在电输运，磁性等物理性质提供了良好的条件。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114892276 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210349053.9 (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人电子科技大学长三角研究院（湖州）