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本发明涉及芯片底座技术领域，本发明公开了一种铜铝混合芯片底座的整体镀银工艺，芯片底座包括底面和周边面，底面的材质为铜，周边面的材质为高导铝，并通过芯片底座模具铸造成型；步骤(1)、超声波除油；步骤(2)、碱蚀处理；步骤(3)、电镀处理；镀铬‑预镀镍‑镀铜；步骤(4)、预镀银；步骤(5)、光亮镀银；步骤(6)、清洗好的零件经100‑120℃烘干后冷却至室温，浸保护剂，经120‑150℃烘干并保温1‑1.5h。镀银层有很强的反光能力和良好的导热、导电、焊接性能，底面的导热率可以达到380度，周边面的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114892231 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210388141.X C25D 21/02 (2006.01)
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