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本发明公开了一种基于过滤弧源的离子注入沉积装置及沉积方法。所述装置包括磁聚集单元、磁偏转单元、离子加速栅网和离子引出栅网，所述磁聚集单元对弧源释放的所有带电粒子起聚集作用，同时可阻挡弧源释放的部分大颗粒，所述磁偏转单元对大颗粒物质起阻挡作用，所述离子加速栅网设于磁偏转单元后方，对带正电离子起加速作用，所述离子引出栅网设于离子加速栅后方、待镀工件前方，对电子起阻挡作用，解决了传统弧源金属“大颗粒”降低涂层质量的问题，同时引出、离子加速栅网在基片前，解决了绝缘基体加偏压难的问题。本装置可作为各种传统
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883164 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210417735.9
(22)申请日 2022.04.20
(71)申请人 华南理工大学
地址 510640
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