一种阻变存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种阻变存储器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于材料MoS2‑xOx的阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括由下至上依次设置的Ti/Au底电极层、MoS2‑xOx层、Ti/Au顶电极层，采用Ti作为顶部接触电极，金属Au作为底部接触电极。制备包括：在SiO2/Si硅片衬底上制备Ti/Au底电极；制备MoS2‑xOx层，制备Ti/Au顶电极。通过外加电压，Ti和阻变层间形成了氧富集层，器件从低阻态转变为高阻态。当加反向电压时，氧富集层中的氧回到初始状态，器件从高阻态转变成为低阻态。这种可逆的氧化过程通过控制金属/氧化物界面的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883484 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210285359.2 (22)申请日 2022.03.23 (71)申请人南京邮电大学地址 21