共享接触孔制造方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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共享接触孔制造方法.pdf

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本发明公开了一种共享接触孔制造方法，所述共享接触孔由先后制造的接触孔A和接触孔B共同组成，接触孔A形成后利用无定形碳或SOC或SOC将其填充满，再制造接触孔B，去除剩余无定形碳或SOC或SOC，在SRAM区域形成由接触孔A和接触孔B共同组成的最终共享接触孔。本发明通过在接触孔A形成之后增加沉积无定型碳或SOC方法来保护共享接触孔不会被二次刻蚀影响，利用无定型碳或SOC与接触孔B的高刻蚀选择比保护接触孔A免于二次刻蚀，保护SiGe不被刻穿的同时，又能保证共享接触孔本身形貌符合要求，增大了刻蚀工艺窗

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114899145 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210395913.2 (22)申请日 2022.04.14 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址