发光器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于四川
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发光器件及其制造方法.pdf

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本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种发光器件及其制造方法，该发光器件包括衬底以及以外延生成方式叠层形成于衬底上的多层外延层，在发光器件内设置有多个人工微坑，人工微坑以衬底和/或多层外延层中的至少一个外延层为中止层，并延伸至后续形成于中止层上的后续外延层内，人工微坑在垂直于衬底的第一参考平面上的第一横截面形状具有彼此相对的两个侧壁，且发光器件在人工微坑的外围具有平台区域，后续外延层至少位于平台区域内，其侧壁在中止层朝向后续外延层一侧的膜层组成不同于平台区域内的后续外延层的膜层组成。通过上述方式

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114914337 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202110185363.7 (22)申请日 2021.02.10 (71)申请人深圳第三代半导体研究院地址 51