一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法.pdf

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一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法，其方法中通过在两种半导体有源层之间形成中间结构层材料，中间结构层材料一方面使得阻挡两种半导体有源层之间的金属元素的扩散，另一方面中间结构层材料的能带对于电子具有较低的势垒，使得电子在两种半导体有源层之间能够发生自由迁移或者大量隧穿，从而使得第一有源层和第二有源层之间能够形成较理想的异质结界面，获得更深的异质结势阱。形成更为理想的半导体异质结，使得真正利用和发挥异质结在金属氧化物半导体器件中的性能优势。提升了现有的高迁移率高稳定性的晶体管或高耐压性的二极

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114899224 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210411896.7 H01L 21/02 (2006.01) (22)申请日 2022.04.