用于预清洁和加工晶片表面的方法和装置.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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用于预清洁和加工晶片表面的方法和装置.pdf

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用于处理基板的方法和装置包括清洁和自组装单层(SAM)形成，用于后续的反向选择性原子层沉积。装置可包括：工艺腔室，具有处理空间和包括基座的基板支撑件；远程等离子体源，流体地耦合至工艺腔室，且配置成产生自由基或具有自由基的离子化气体混合物，所述自由基或离子化气体混合物流动到处理空间中以从基板的表面移除残留物或氧化物；第一气体输送系统，具有第一安瓿，所述第一安瓿配置成提供至少一种第一化学物质至处理空间中，以在基板的表面上产生SAM；加热系统，定位于基座中，且配置成通过在基板的背侧上的流动气体加热基板

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114930519 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202180008890.9 振雄 ·马修 ·蔡　河泰泓　