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本发明的课题在于提供能够相对于半导体芯片的凸块形成面及侧面这两者形成包覆性优异的保护膜的固化性树脂膜。作为解决该课题的固化性树脂膜,提供用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜,所述凸块形成面具备凸块,该固化性树脂膜满足下述条件(I)。在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量,在将上述试验片的应变为1%时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为3
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114930504 A
(43)申请公布日 2022.08.19
(21)申请号 202080090576.5 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
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