三维存储器阵列中变化的沟道宽度.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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三维存储器阵列中变化的沟道宽度.pdf

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公开了一种包括变化宽度沟道(110a)的存储器阵列(100)。阵列(100)包括多条WL(106)，多条WL(106)在层上方，其中，层可以是存储器阵列(100)的选择栅极源极SGS(116)或用于将阵列(100)的第一层面(102a)与阵列(100)的第二层面(102b)隔离的隔离层(130a)。沟道(110a)延伸穿过多条字线(106)并且至少部分地穿过该层。沟道(110a)包括第一区域(113na、113nb)和第二区域(111wa、111wb)。沟道(110a)的第一区域(113na、1

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114930534 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202080092405.6 (74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司