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双极性阻变存储器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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双极性阻变存储器及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种双极性阻变存储器及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成底电极；采用等离子增强的化学气相沉积法，通过调节射频功率和/或腔室压强，在底电极上形成阻变介质层；在阻变介质层上形成活性电极，以构成双极性阻变存储器。本发明的双极性阻变存储器的制备方法通过调节射频功率和/或腔室压强可以实现阻变介质层致密度的控制，进一步借助于薄膜沉积时间的变化实现阻变介质层厚度的调节以及活性电极的厚度调节，使得本发明的双极性存储器可以将较低操作电压、较快编程速度和较高的稳定性集成于一体，极大促进了该器

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164749 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011053896.1 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 北京大学 地址 10

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