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- 2023-05-23 发布于四川
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本发明涉及一种高密度集成有源电容，属于电子技术领域。该高密度集成有源电容的沟槽两侧设置有覆盖耗尽区的源区，为沟槽电容负极板提供反型层载流子，为形成于沟槽与耗尽区之间的沟槽电容以及耗尽区与P型衬底之间的耗尽电容分别提供电极引出，改变内部电容的连接方式，将串联电容转变成并联电容，从而使得本发明的有效电容比现有技术中不具备源区的电容大得多，大幅提高了电容密度，适用于各种集成电路，且本发明的高密度集成有源电容可采用标准制程，生产制造方便，成本相对低廉。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164750 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202011050434.4
(22)申请日 2020.09.29
(71)申请人 吴健
地址 2000
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