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一种对消式去耦芯片.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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一种对消式去耦芯片.pdf

    本发明公开了一种对消式去耦芯片，包括左右对称分布的双T型微带结构A、B，以及前后对称分布的山型去耦结构C、D；所述山型去耦结构C、D相对的一侧分别设有左、右两个开槽，双T型微带结构A、B的前、后端部分别位于山型去耦结构C、D的左、右开槽内；双T型微带结构A左侧向外有两个凸起端部，双T型微带结构B右侧向外有两个凸起端。所述对消式去耦芯片采用低温共烧陶瓷技术制成。本发明通过设计对称分布的双T型微带结构，在两端加入山型去耦结构，该芯片在一定的频带内产生去耦作用，用于多天线系统之间去耦，提高多天线系统之

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164891 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202010893375.0 (22)申请日 2020.08.31 (71)申请人 西安朗普达通信科技有限公司

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