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三维存储器及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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三维存储器及其制造方法.pdf

    本发明实施例提供了一种三维存储器及其制造方法。其中，方法包括：提供衬底结构；所述衬底结构包含呈阶梯状交替设置的第一材料层和第二材料层；所述第一材料层的每一层具有暴露的水平表面部分；在所述衬底结构的表面形成第一介质层；所述第一介质层的材料包括氮化硅或者多晶硅；对所述第一介质层进行第一刻蚀，以使各第一材料层暴露的水平表面部分上的各第一介质层不在同一高度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164696 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011013987.2 (22)申请日 2020.09.24 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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