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- 2023-05-23 发布于四川
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本发明的实施例公开一种集成肖特基二极管的功率器件及其制造方法。所述方法包括：外延；沉积氮化硅；沉积二氧化硅；沉积氮化硅；刻蚀源区注入掩膜；源区离子注入；腐蚀露出沟道及基区；阱区离子注入；清晰晶片；基区离子注入；碳膜工艺及退火；牺牲氧化；场氧沉积及刻蚀；高温热氧及退火；多晶硅栅沉积；多晶硅刻蚀；ILD沉积刻蚀；钝化层沉积刻蚀。所述功率器件由所述方法制造得到。本发明的实施例能大幅降低系统成本，同时能避免体二极管高反向恢复电流及双极型衰减。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164654 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202011027352.8 H01L 29/47 (2006.01)
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