原创力文档- 4
- 0
- 约1.3万字
- 约 11页
- 2023-05-23 发布于四川
- 举报
一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯型基底的方法，属于微纳机械传感器技术领域。包括以下步骤：1）选用SOI晶片作为原料；2）掩模旋涂完成后，利用光刻机进行曝光，曝光完成后在室温下将样品于专用显影剂下显影，然后将样品坚膜；3）分四步进行反应离子刻蚀。上述一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯型基底的方法，利用刻蚀图形的不同大小得到不同刻蚀深度，从而通过等离子体刻蚀制造阶梯型结构，实现了等离子体刻蚀的三阶梯AFM探针基底，并且可通过调节曝光图形矩形阵列的边长调控阶梯深度；具有此种阶梯型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112158794 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202010921867.6
(22)申请日 2020.09.04
(71)申请人 杭州探真纳米科技有限公司
文档评论（0）