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一种可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚和方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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一种可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚和方法.pdf

    本发明公开了一种可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚和方法。所述可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚包括：坩埚主体；原料腔，位于所述坩埚主体内，用于装填碳化硅单晶的生长原料；生长腔，位于所述坩埚主体内，并位于所述原料腔的上方，用于生长籽晶而获得碳化硅单晶；疏气腔，位于所述坩埚主体内，并位于所述原料腔的下方，所述疏气腔内具有疏气组件，用于向所述原料腔内释放卤素气体，以调节所述碳化硅单晶生长体系气氛。基于本发明可在晶体生长初期将卤素气体释放进入生长氛围，达到消耗晶体生长初期多余硅的目的，进而调节

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112160028 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011041383.9 (22)申请日 2020.09.28 (71)申请人 中电化合物半导体有限公司

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