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随机存取存储器的底栅薄膜晶体管及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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随机存取存储器的底栅薄膜晶体管及其制造方法.pdf

    本发明公开一种随机存取存储器的底栅薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管包括P型重掺杂硅栅极、设置于P型重掺杂硅栅极上层的氧化硅隔离层以及设置于氧化硅隔离层上层的氧化镓铟锌沟道，氧化镓铟锌沟道两端设有氧化铟锡源极、氧化铟锡漏极。所述方法通过磁控溅射沉积成氧化镓铟锌沟道、氧化铟锡源极和氧化铟锡漏极。本发明采用磁控溅射沉积的氧化镓铟锌作为沟道材料，整个加工过程较为均一稳定，可以很好的提高晶体管的可靠性和电子特性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164723 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011016657.9 (22)申请日 2020.09.24 (71)申请人 山东华芯半导体有限公司

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