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一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片.pdf

    本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片，解决了现有技术中硅片的光滑表面与其他膜层的表面接近时，容易产生粘滞力的技术问题。本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法，在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层多孔氧化物膜层，然后采用XeF2气相刻蚀的方式对第一硅平面层进行刻蚀，XeF2气体穿过多孔氧化物膜层后再对第一硅平面层进行刻蚀时，不规则的刻蚀第一硅平面层，因此，经过第一次刻蚀后的第一硅平面层的表面粗糙度较大，因此，当该硅片在与其他膜层相近时，降低了两个接近的表面之间产生的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112158796 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011053233.X (22)申请日 2020.09.29 (30)优先权数据

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