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高散热的GaN单晶衬底及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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高散热的GaN单晶衬底及其制备方法.pdf

    本发明涉及半导体材料技术领域，尤指一种高散热的GaN单晶衬底及其制备方法，该高散热的GaN单晶衬底，包括自上而下依次层叠的GaN单晶层、基底和金刚石层，基底内部贯穿有若干个嵌孔，金刚石层部分延伸嵌入嵌孔并与GaN单晶层接触；其制备方法为在基底上制造出若干个嵌孔，形成嵌孔面；在嵌孔面沉积一层金刚石层；对基底背离嵌孔面的一面进行减薄并外延GaN单晶层，即得高散热的GaN单晶衬底。本发明将GaN单晶材料通过基底的嵌孔与高散热的金刚石材料连通，提高了衬底的散热能力，同时有效释放了异质衬底与GaN外延间的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164976 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011053836.X (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 北京

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