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半导体存储器件.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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半导体存储器件.pdf

    公开了一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：衬底，包括有源图案，该有源图案包括彼此间隔开的第一源/漏区和第二源/漏区；位线，电连接到第一源/漏区并跨过有源图案；存储节点接触部，电连接到第二源/漏区；间隔物结构，在位线和存储节点接触部之间；着接焊盘，电连接到存储节点接触部；绝缘图案，在间隔物结构上并与着接焊盘相邻；以及衬层，在绝缘图案和着接焊盘之间。该绝缘图案可以包括：上绝缘部分和下绝缘部分，下绝缘部分在上绝缘部分和间隔物结构之间。下绝缘部分的最大宽度可以大于上绝缘部分的最小宽度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116133420 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202211068060.8 (22)申请日 2022.08.30 (30)优先权数据 10-2021-0155887

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