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三维存储器器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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三维存储器器件及其制造方法.pdf

    本发明提供了一种三维存储器器件及其制造方法。其中，三维存储器器件包括：设置在第一衬底上的存储器件；设置在第二衬底上外围器件；一个或多个互连层，形成在所述存储器件以及所述外围器件之间；位于所述存储器件外围的隔离环；设置在所述第一衬底上，且位于所述存储器件中的外围接触孔；所述外围接触孔中的填充材料通过所述互连层与位于所述外围器件中的外围电路接触孔中的填充材料导电连接；设置在所述第一衬底上，且位于所述隔离环与所述外围接触孔之间的虚设外围接触孔。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164693 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011003643.3 H01L 27/11573 (2017.01)

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