芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.49万字
  • 约 14页
  • 2023-05-23 发布于四川
  • 举报

芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法.pdf

本发明公开一种芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法。该芯片堆叠结构包括第一芯片和第二芯片。第二芯片位于第一芯片上。第一芯片包括第一衬底、第一内连线结构、第一焊垫和第一接触导体。第一内连线结构位于第一衬底的第一表面上。第一焊垫位于第一内连线结构上。第一接触导体位于第一衬底中,且暴露于第一衬底的相对于第一表面的第二表面。第二芯片包括第二衬底、第二内连线结构、第二焊垫和第二接触导体。第二内连线结构位于第二衬底上。第二焊垫位于第二内连线结构上。第二接触导体位于第二衬底中,其中第一接触导体直接实体接触第二

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164688 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011054090.4 H01L 25/07 (2006.01)

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档