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SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备.pdf

    本发明涉及一种嵌入式扇出型SiCMOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备，其中，所述方法构建SiCMOSFET器件的三维模型，确定芯片分布的可行域，基于所述可行域利用响应曲面法进行仿真参数设计，基于所述仿真参数进行有限元仿真，根据仿真结果构建芯片的分布情况与最大散热温度和最大应力之间的数学模型，从而获得散热与应力最优的芯片分布方式，实现封装结构优化设计。与现有技术相比，本发明具有分析效率、优化准确性高等优点。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112163355 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011018010.X G06F 119/08 (2020.01)

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