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- 2023-05-23 发布于四川
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本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型SE正激光工艺,在SE激光过程中喷入氧气,使硅片表面的氧气浓度为22%‑30%,在SE激光完成后继续喷入氧气1‑3分钟,硅片表面的氧气浓度为28%‑35%。激光照射过程中在通过喷氧在硅表面形成氧化硅保护层,从而减轻激光对表面的损伤程度,降低硅片表面的复合率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164734 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202010922106.2
(22)申请日 2020.09.04
(71)申请人 山西潞阳光伏科技有限公司
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