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本发明涉及半导体相关领域，公开了一种防滴液半导体自动刻蚀装置，包括主箱体，主箱体内设有刻蚀腔，刻蚀腔后侧设有运输带轮腔，运输带轮腔前端壁和刻蚀腔后端壁之间连通设有连接块腔，运输带轮腔后侧设有传动带轮腔，通过雾化刻蚀液并使其均匀弥漫至半导体掩膜刻蚀槽内，避免因为刻蚀液用量不一而造成刻蚀程度不一的问题，保证了样品的良率，此外，通过设置刻蚀液处理机构，有效清除了凝结在刻蚀腔上壁的刻蚀液和掩膜上多余的刻蚀液，减少液滴滴落在样品上产生的刻蚀不均的情况，而且防止多余刻蚀液进入刻蚀槽而影响到刻蚀效果。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112201595 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 202011065453.4
(22)申请日 2020.09.30
(71)申请人 青田林心半导体科技有限公司
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