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在一种单晶硅的氧浓度推断方法中，通过提拉装置提拉单晶硅，所述提拉装置具有相对于包含晶体提拉轴及水平磁场的施加方向的面为非面对称的结构的热区形状，在单晶硅的颈部工序及肩部形成工序中的至少任一个工序中，实施测量热区形状的非面对称结构的位置处的硅熔液的表面温度的工序(S3)以及根据所测量的硅熔液的表面温度及预先准备的硅熔液的表面温度与单晶硅中的氧浓度的关系来推断所提拉的单晶硅的直体部中的氧浓度的工序(S5)。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112204174 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 201980015966.3 (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公
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