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本发明提供一种阻变存储器的钨薄膜制备方法，包括：采用物理气相沉积在底电极上沉积钨薄膜；采用物理气相沉积在所述钨薄膜上沉积掺杂有N元素的WNx薄膜；通过CMP机台对所述WNx薄膜进行研磨，其中，当所述WNx薄膜被磨光时，所述CMP机台停止研磨。利用本发明，能够解决现有制备阻变存储器的钨薄膜过程中，不能同时满足钨薄膜厚度、钨薄膜表面粗糙度问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112201748 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 202011033772.7
(22)申请日 2020.09.27
(71)申请人 昕原半导体（上海）有限公司
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