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实施方式提供一种能够使读出动作高速化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含连接于位线与源极线之间的存储单元、连接于存储单元的栅极的字线、以及执行读出动作的控制器。在读出动作中，控制器对字线(WLsel)施加第1读出电压(NR)与第2读出电压(BR)，在施加第1读出电压的第1时刻与施加第2读出电压的第2时刻分别读出数据。控制器在第1时刻与第2时刻，分别对源极线施加第1电压(Vsrc)，在对字线施加第1读出电压期间且在第1时刻之前对源极线施加高于第1电压的第2电压，在对字线施加第2读出电压期
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112201290 A
(43)申请公布日
2021.01.08
(21)申请号 20201
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