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用于晶片键合的牺牲对齐环和自焊接过孔.pdfVIP

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  • 2023-05-24 发布于四川
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用于晶片键合的牺牲对齐环和自焊接过孔.pdf

    本发明提供了一种将第一基底键合到第二基底的方法，其中第一基底包括在第一基底的顶部表面上的第一电接触件，并且其中第二基底包括在第二基底的底部表面上的第二电接触件。该方法包括在第一基底的顶部表面上形成聚酰亚胺块，其中聚酰亚胺块具有圆形的上角，并且将第一基底的顶部表面和第二基底的底部表面朝彼此垂直移动，直至第一电接触件邻接第二电接触件，其中在移动期间，第二基底与聚酰亚胺的圆形的上角接触，致使第一基底和第二基底相对于彼此横向移动。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110383457 A (43)申请公布日 2019.10.25 (21)申请号 20188

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