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2023-05-24 发布于四川
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提出了可控硅整流器SCR。SCR包括半导体本体，其包括第一主表面和有源器件区。在第一主表面处的第一、第二、第三和第四表面接触区域沿着第一横向方向一个接一个地直接布置。半导体本体在第一至第四表面接触区域中的每个处电接触。SCR还包括第一、第二、第三和第四SCR区。第一和第三SCR区是第一导电类型的并且分别直接邻接第一和第三表面接触区域，并且第二和第四SCR区是第二导电类型的并且分别直接邻接第二和第四表面接触区域。SCR还包括第一导电类型的第一阱区。第二SCR区在第一主表面处与第一阱区至少部分地重叠

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112185953 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010630301.8 (22)申请日 2020.07.03 (30)优先权数据

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