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本公开涉及形成分裂栅存储器单元的方法。本发明公开了一种形成存储器设备的方法，包括在第一导电层上形成第二绝缘层，该第一导电层形成在第一绝缘层上，该第一绝缘层形成在半导体基板上。在第二绝缘层中形成向下延伸到第一导电层的一部分并且暴露该第一导电层的一部分的沟槽，该部分被蚀刻或氧化以具有凹形上表面。沿沟槽的侧壁形成两个绝缘间隔部，该两个绝缘间隔部具有彼此面对的内表面和彼此背离的外表面。源极区形成于基板中的绝缘间隔部之间。第二绝缘层以及第一导电层的一部分被去除以在绝缘间隔部下方形成浮栅。在浮栅的侧表面上形
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112185970 A
(43)申请公布日
2021.01.05
(21)申请号 20191
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