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一种优质大尺寸BiBO晶体熔盐法生长的装置和方法,采用特纯Bi2O3和B2O3按比例配制并充分研磨混合,梯度高温预烧获得晶体生长多晶料,选择刚玉坩埚、合料炉、附带一对光滑搅拌杆的籽晶杆、铂坩埚和熔盐炉为生长装置。将晶体生长多晶料加热熔化,采用在晶体生长过程中籽晶杆上附带的一对光滑搅拌杆加强对生长熔体的搅拌的顶部籽晶熔体法晶体生长工艺,解决了因为低熔点、高粘稠度的BiBO晶体生长熔体易于自然成核,同时提高单晶在生长过程中的质量输送,有利于优质大尺寸的BiBO晶体在均匀的熔体表面或熔体中顺利生长。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112176395 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202011087350.8
(22)申请日 2020.10.13
(71)申请人 福建福晶科技股份有限公司
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