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本发明实施例涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制作方法。本发明中，上述半导体器件的制作方法包括：在形成有突出结构和/或凹陷结构的衬底的表面形成牺牲层；其中，所述牺牲层覆盖所述突出结构和/或凹陷结构，形成所述牺牲层的材料为碳涂层材料；在所述牺牲层上形成结构层；释放所述牺牲层，形成所述半导体器件，使得即使在衬底的表面不平整时，也不会影响衬底表面上形成的牺牲层的平整度，牺牲层的平整度较好。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112174086 A
(43)申请公布日
2021.01.05
(21)申请号 20191
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