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本发明提供一种NOR闪存电路及数据写入、读取、擦除方法,包括:NOR存储阵列,源端电压选择单元,阱电压选择单元,字线选通单元,位线选通单元,数据读出单元及模拟电压产生单元。数据写入时将源极浮空,阱电极接地;待写入数据的存储单元所在位线施加第一正向电压、字线施加第二正向电压。数据读取时将源极接地,阱电极接地;待读取数据的存储单元的字线施加第三正向电压、位线选通并输出数据。数据擦除时源极及阱电极接第五正向电压;待擦除数据的存储单元所在位线浮空、字线施加负向电压。本发明通过操作步骤的改进优化,可降低存
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112201291 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 202010986623.6 G11C 16/24 (2006.01)
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