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本申请公开了一种增强型MOSFET器件，包括：衬底；N型GaN缓冲层，位于衬底的上方；U型GaN层，位于N型GaN缓冲层的上方；P型GaN层，位于U型GaN层的上方；N型Poly‑Si层，位于P型GaN层的上方；栅介质层，位于N型Poly‑Si层的上方；栅极，位于栅介质层的上方；源极，位于N型Poly‑Si层的上方；漏极，位于U型GaN层的上方，漏极和源极分别位于栅极两侧。本申请将N型Poly‑Si层直接形成在载流子浓度较低的U型GaN层上，再将漏极形成在N型Poly‑Si层上，采用此结构相当于
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115985965 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202310128838.8
(22)申请日 2023.02.01
(71)申请人 浙江芯科半导体有限公司
地址 3
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