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2023-05-24 发布于四川
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一种半导体铜背靶加工方法.pdf

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本发明公开了一种半导体铜背靶加工方法，其包括以下步骤：(1)将圆柱体状的T2紫铜铜材加热至850℃，然后经过锻压机锻打使T2紫铜铜材的直径变大高度变低，后放置冷却至650℃，然后将T2紫铜铜材锻打成一长方体的形状；(2)在650℃条件下将长方体状的T2紫铜铜材进行墩粗；(3)将T2紫铜铜材放置冷却至350℃，在350℃条件下将墩粗后的T2紫铜铜材锻打成长方体状；(4)继续在350℃条件下继续使用锻压机对长方体状的T2紫铜铜材进行锻打，将长方体状的T2紫铜铜材锻打成圆饼形状，然后在常温条件下空冷放

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112170753 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010880526.9 (22)申请日 2020.08.27 (71)申请人金嘉品（昆山）金属工业有限公司

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