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本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长N型层、有源层和P型层；在衬底上生长N型层包括：在衬底上生长多个周期交替生长的第一N型层和第二N型层，其中，在高温低温交替的条件下，以第一转速生长第一N型层，在低温条件下，以第二转速生长第二N型层；第一转速大于第二转速，第一N型层中Si的掺杂浓度大于第二N型层中Si的掺杂浓度。采用该生长方法可以改善外延片的翘曲，使得后续有源层生长过程中，In源能够均匀分布在外延片上，发光二极管最终的各项
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112186080 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202011061544.0
(22)申请日 2020.09.30
(71)申请人 华灿光电（苏州）有限公司
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