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本发明涉及太阳能电池生产领域。一种防边缘漏电的晶硅电池，在晶硅电池的每片电池片的周侧有一层25‑40μm的高温绝缘膜，该高温绝缘膜在1000摄氏度时具有稳定性。该防边缘漏电的晶硅电池制备方法为，在电池片制备正负电极前在硅片的周侧制备一层25‑40μm的高温绝缘膜，然后在制备正负电极。本发明所设计的晶硅电池的电池片利用四周形成的耐高温绝缘膜杜绝了丝网印刷工序的金属浆料造成的边缘漏电，同时得益于更大的铝背场面积，提高了电池转换效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112201703 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 202011216922.8
(22)申请日 2020.11.04
(71)申请人 山西潞安太阳能科技有限责任公司
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