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本发明属于光学微腔技术领域,具体涉及一种上转换光学微腔及其应用。本发明上转换光学微腔包括腔体,所述腔体由腔体介质制备而成,所述腔体介质包含光敏剂和湮灭剂,所述光敏剂的最低激发态能级高于所述湮灭剂的最低三重态能级,所述湮灭剂能够通过三重态‑三重态湮灭实现上转换。本发明充分利用微腔效应,使激发光在高、低折射率介质的界面上发生内全反射,形成回音壁模式,可充分增加激发光与上转换材料的相互作用,提高激发光的利用率,为TTA上转换的ISC过程提供足够多的单重激发态光子,进而有效增加上转换的量子产率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112198146 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 202011058504.0
(22)申请日 2020.09.30
(71)申请人 华中科技大学
地址
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