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在半导体基板(1)的主面之上形成覆盖半导体器件(5)及半导体基板(1)的切割线(7)的树脂膜(8)，以不除去切割线(7)之上的树脂膜(8)的方式除去第1电极(2)周围的树脂膜(8)、除去第2电极(3、4)之上的树脂膜(8)而形成第1接触孔(9)。将树脂薄膜(11)粘贴于树脂膜(8)的上表面而在第1电极(2)周围形成中空构造(12)。将树脂薄膜(11)图案化，同时形成与第1接触孔(9)连接的第2接触孔(13)和切割线(7)上方的第1开口(14)。在形成了第1开口(14)后沿切割线(7)对半导体基板
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112189251 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 201880093695.9 (51)Int.Cl.
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