使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备.pdf

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本公开的实施例涉及使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备。本公开提供了设备和方法，其中半导体芯片具有减少的尺寸和厚度。通过利用牺牲性或牺牲硅晶片来制造设备。在牺牲硅晶片中形成凹进，其中半导体芯片被安装在凹进中。在牺牲硅晶片与芯片之间的空间被利用底层填充材料填充。使用任何适当的蚀刻处理，牺牲硅晶片和芯片的背侧被蚀刻，直至牺牲硅晶片被移除，并且芯片的厚度被减少。利用该处理，在一些实施例中，半导体芯片的整体尺寸可以被变薄到小于50μm。该超薄半导体芯片可以被并入制造柔性/可卷曲显示面板、可折叠移

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242371 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 202010687442.3 H01L 21/50 (2006.01)