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本发明公开了一种分段式蚀刻方法,包括以下步骤,双氧水蚀刻‑氨水蚀刻‑清洗‑甩干,具体为:步骤一:双氧水蚀刻,将经过研磨后的晶圆放置在第一药液槽内,对晶圆的研磨面进行蚀刻,第一药液槽内药液为双氧水;步骤二:氨水蚀刻,将晶圆从第一药液槽取出,再放置进第二药液槽内,对晶圆的研磨面进行蚀刻,第二药液槽内药液为氨水。本发明不但能够改善晶圆整体均匀性,提高制程的稳定性,降低良率损失,而且还能节约蚀刻药液的成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112259450 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202010988853.6
(22)申请日 2020.09.18
(71)申请人 厦门市三安集成电路有限公司
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