原创力文档- 1、本文档共10页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种防止晶圆翘曲的热退火处理方法及装置。其中方法包括：将目标晶圆，由圆心至外缘位置，依次划分为n块封闭的加热区，其中n为正整数；以对应加热条件分别对n块加热区进行加热，使得n块加热区，由目标晶圆的圆心至外缘位置处，对应的温度逐渐递减，使得目标晶圆在快速热退火过程中的热应力由目标晶圆的中心向边缘延展。装置包括：工作腔，若干目标晶圆依次进入热退火处理装置的工作腔中，进行如上述的防止晶圆翘曲的热退火处理方法，可以解决相关技术中在快速热退火过程中，晶圆边缘由
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112233979 A
(43)申请公布日 2021.01.15
(21)申请号 202011295994.6
(22)申请日 2020.11.18
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
文档评论（0）