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2023-05-25 发布于四川
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浅沟槽隔离结构的形成方法.pdf

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本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：在衬底上形成氧化物层和氮化物层；刻蚀氮化物层、氧化物层和衬底，在衬底内形成第一高度浅沟槽，第一高度浅沟槽的侧壁部分向外侧凸起；在第一高度浅沟槽的至少部分侧壁上形成内衬氧化层，以填充第一高度浅沟槽的侧壁向外凸起的部分，使得第一高度沟槽的侧壁是平滑的直壁；在第一高度浅沟槽底部，继续刻蚀衬底形成第二高度浅沟槽，并向第二高度浅沟槽中填充绝缘材料形成浅沟槽隔离结构。内衬氧化层可以使得第一高度浅沟槽的侧壁是平滑的直壁，进而使得第二高度浅沟槽的侧壁为平滑的直壁，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112216651 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 202011187610.9 (22)申请日 2020.10.30 (71)申请人上海华力微电子有限公司

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