半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括相对设置的顶面与底面；离子掺杂环，所述离子掺杂环自所述衬底的顶面向所述衬底的底面设置；至少两个导电类型不同且层层包围的掺杂层，形成于所述衬底中，所述离子掺杂环环绕于所述掺杂层的外围且与所述掺杂层的外围间隔预定距离，位于最外层的所述掺杂层与所述离子掺杂环的导电类型不同。本发明的技术方案能够在提升半导体器件的量子效率的同时，还能有效控制暗计数。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113299786 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202110559989.X (22)申请日 2021.05.21 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司