改良的HEMT器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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改良的HEMT器件及其制作方法.pdf

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本申请公开了一种改良的HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括沿设定方向排列的多个单胞，每一单胞均是直接在用于制作HEMT器件的半导体外延结构中加工形成的独立功能单元，其中相邻两个单胞之间设置有隔离区，并且该相邻两个单胞共用源极或漏极，该相邻两个单胞之间的隔离区分布于该共用的源极或漏极下方。本申请的HEMT器件因采用了在源极和漏极下方设置隔离区域的方案，可以不影响器件输出电流的条件下，有效降低器件垂直方向的漏电面积，并显著提高了器件的垂直耐压特性。该工艺可以采用注入或者刻蚀等方法实现，相应

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242391 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 202011107905.0 (22)申请日 2020.10.20 (71)申请人苏州