具有高抗静电能力的GaN基LED外延结构及生长方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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具有高抗静电能力的GaN基LED外延结构及生长方法.pdf

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本发明公开了具有高抗静电能力的GaN基LED外延结构及生长方法，该外延结构自下而上依次为衬底、缓冲层、n型层、应力调节层、多量子阱层和p型层，在n型层和多量子阱层之间生长有应力调节层，该应力调节层包括从下向上依次叠加的掺杂Si的抗静电层、位错阻挡层。这种结构中的所述抗静电层在生长过程中掺Si并开启大量V形坑，V形坑作为漏电通道在加反向静电压的时候能够有效的引导冲击电流从V形坑中传导，使冲击电流分布均匀，大大降低芯片被击穿的可能性，有效提高GaN基LED的抗静电能力。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112234125 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202010958504.X H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2

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