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本发明提供了一种光栅耦合器及其制备方法，本发明的光栅耦合器的制备方法包括如下步骤：提供SOI衬底，所述SOI衬底自下而上包括硅衬底层、二氧化硅中间层以及硅顶层；刻蚀所述硅顶层形成第一耦合光栅；在所述硅顶层上形成Poly‑Si层；刻蚀所述Poly‑Si层形成第二耦合光栅；所述第二耦合光栅与所述第一耦合光栅错位堆叠。本发明的光栅耦合器通过在硅顶层上形成Poly‑Si层减小光栅耦合器的插入损耗，再通过第二耦合光栅与所述第一耦合光栅偏移设计，进一步减小插入损耗，并且偏移设计可以提高光栅制备工艺的容差。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112230339 A
(43)申请公布日 2021.01.15
(21)申请号 202011143700.8
(22)申请日 2020.10.23
(71)申请人 联合微电子中心有限责任公司
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